芯片制造,芯片设计制造封装的区别

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芯片制造，芯片设计制造封装的区别？

简单的说芯片设计是设计芯片内部线路，赋予其各类功能。

芯片制造是把设计好的芯片制造成实物。

而芯片封装是把制造好的芯片用各种方法保护起来，方便芯片的安装，使用。起到了提升可靠性的作用。值得一提的是，在摩尔定律即将失效的今天，芯片封装是提升芯片性能的另一个方向。今后，诸如倒装芯片封装，晶圆级封装等先进封装技术将带来新一轮的芯片性能爆发。

高端芯片制造有多难？

高端芯片制造非常难，因为它需要高度精密的设备和技术。以下是制造高端芯片的一些挑战：

1. 设计复杂性：高端芯片的设计通常非常复杂，需要大量的工程师和时间来完成。

2. 工艺流程：高端芯片制造需要复杂的工艺流程，包括多个步骤和控制点。每个步骤都需要高度精确的操作和控制，否则就会影响芯片的性能和稳定性。

3. 材料选择：高端芯片需要使用高质量的材料，如硅、铜等。这些材料的纯度和质量对芯片的性能和可靠性至关重要。

4. 设备要求：高端芯片制造需要使用高度精密的设备，如光刻机、离子注入机等。这些设备的成本非常高，而且需要高度的技术操作和维护。

5. 环境控制：高端芯片制造需要在非常严格的环境条件下进行，如低温、无尘、真空等。这些环境条件对设备的稳定性和芯片的性能都有很大的影响。

综上所述，制造高端芯片需要高度精密的设备和技术，以及严格的环境控制和工艺流程。这使得高端芯片制造非常难，需要大量的投资和技术支持。

华为正式表态？

华为的这个正式表态，应该是近日华为的轮值董事长郭平对新员工提问的回答

问：我来自成都研究所，请问在当前形势下，我们的研发投入是否会有所削减？我们的供应链该怎么保障？客户对我们的信心该怎么维持？

郭平：华为生存没有问题。我在很多场合说过，美国对华为卡脖子涉及到的不是爱因斯坦的问题。是什么问题？是成本问题、工艺问题和时间问题。这些问题，要靠有效的投入来解决。华为的决定是加强研发、加强投入。解决卡脖子问题，自建和帮助产业链的伙伴解决供应连续和竞争力问题。应该说，过去两年我们做得效果不错，管理层有信心。我们也有这样的支付能力，我们也对新加入的员工有期望。

从芯片制造产业链来看，对华为或者中国大陆来说，面临的最大拦路虎就是光刻机问题。特别是目前最先进的EUV光刻机，可称是人类工业化以来最精密复杂的机器，整机重达180吨，关键和核心零部件超过10万多个，集中了美国、德国、荷兰、瑞士、法国等十几个发达国家数万工程师之力，用了几十年时间不断研发、迭代制造出来的，是名符其实“工业皇冠上的明珠”！由于光刻机里的许多核心关键技术的专利都是美国的，按照美国的长臂管辖政策，由于没有得到美国的授权同意，荷兰的光刻机巨头ASML是不敢将EUV光刻机卖给中国大陆的，这也就导致了华为手机的芯片断供问题！针对中国大陆进军芯片产业问题，荷兰的光刻机巨头ASML曾表示：“就算把图纸给你们，中国人也不可能造出光刻机！”台湾地区的台积电创始人张忠谋也宣称：“技术是用钱买不来的，中国大陆永远不可能造出高端芯片！”ASML和台积电是芯片领域的两大霸主，一个控制着全球最高端EUV光刻机的制造，一个控制着全球的高端芯片制造，他们能走上今天的霸主位置，确实是靠着长期的技术研发突破而来的，绝非轻而易举得来的！虽然中国大陆已经有了90nm的光刻机，28nm的也在抓紧研制之中，但是必须承认，我们在技术上至少还落后了二至三代！现在，我们想要以一国之力全部解决零部件国产化问题，无论从人才、从技术、从投入、从时间而言，都不是可以一蹴而就的！尽管如此，中国大陆举国体制的优势，也在目前世界上最重要的半导体产业上逐渐显示出来了，这也是世界著名经济学家林毅夫为什么在公开场合说：“ASML的CEO温彼得担心不把光刻机卖给中国，大概3年以后中国就会自己掌握这个技术。”的原因。虽然，我们没有直接听到温彼得说过这样的话，但是他对美国的对华光刻机禁令多次表达担心却是真的。比如，温彼得称：“出口管制将使整个供应链系统效率降低，而美国的贸易限制也会伤害自身的经济。中国进口了该国所需芯片的60%，如果这些进口停止，美国将损失800亿到1000亿美元的收入，并将至少将失去12.5万个工作岗位。”因此，无论是光刻机，还是芯片制造问题，中国大陆最后都能解决！实际上，华为的任正非之前就指出：“光刻机和芯片只是应用工程问题而已，花时间就能解。”现在，再由轮值董事长郭平再次予以确认，说明攻克光刻机和芯片问题是有把握的，否则华为肯定不会仍然继续不断花巨资研发P系列、Mate系列高端手机，目的就是在等国产高端芯片到来的那一天！

世界顶尖芯片专家排名？

1、威廉，肖克莱(William Shockley)

1910年2月13日生于英国伦敦。美国物理学家，美国艺术与科学学院、电气与电子工程师协会高级会员。

2、约翰?巴丁（John Bardeen）

1908年5月23日，巴丁出生于威斯康星州麦迪逊城。巴丁的研究领域包括半导体器件、超导电性和复制技术。

3、沃尔特?布拉顿(Walter Houser Brattain)

1902年2月10日生于中国厦门市。美国物理学家,美国科学院院士。曾获巴伦坦奖章、约翰?斯可特奖章。布拉顿长期从事半导体物理学研究，发现半导体自由表面上的光电效应。

4、杰克?基尔比(Jack Kilby)

1923年生于美国密苏里州杰弗逊城。1958年9月12日，基尔比发明的微芯片成功地进行了演示，这是世界上第一块集成电路。

5、罗伯特?诺伊斯(Robert Noyce)

1927年12月，罗伯特?诺伊斯生于美国爱荷华州。他与同伴自行创办了仙童半导体公司，他担任总经理一职。肖克莱称他们为“八个天才的叛逆”。1968年8月，诺伊斯与戈登创办了著名的英特尔（Intel）公司，诺伊斯出任总经理。1970年，Intel推出世界上第一款DRAM（动态随机存储器）集成电路1103，实现了开门红。1971年，推出世界上第一款微处理器4004，揭开了基于微处理器的微型计算机的序幕。此后，Intel凭借技术创新的优势，成为全球最大的半导体厂商。

6、戈登?摩尔(Gordon Moore)

1929年1月3日生于旧金山佩斯卡迪诺，美国科学家，企业家，1965年，摩尔提出“摩尔定律”。1968年，摩尔和诺伊斯一起退出仙童公司，创办了Intel。他的定律不仅把英特尔带到了产业的顶峰，也指引着多年来IT产业的发展。

7、琼?霍尔尼(Jean Hoerni)

1924年生于瑞士，为“八个叛逆者”之一。1959年，他发明了平面工艺的一种叫做光学蚀刻的处理方法。霍尔尼创造了一个光罩，它就像一张底片，上面有一簇小孔，用来过滤掉不清洁的东西，然后让它在光线中翻动。在化学洗涤之后，金属板上只要是留下光阻剂的地方，杂质就不会散落到下面，以此来解决平面晶体管的可靠性问题，因而使半导体生产发生了革命性的变化，堪称“20世纪意义最重大的成就之一”，并且奠定了硅作为电子产业中关键材料的地位。

8、弗兰克·威纳尔斯（Frank M.Wanlass）

他曾获得美国盐湖城犹他大学的博士学位，在1963年的固态电路大会上，他提交了一份与Sah合著的关于CMOS的构想报告，同时还用了一些实验数据对CMOS技术进行了大概的解释，同时，关于CMOS的主要特征也基本确定：“静态电源功率密度低；工作电源功率密度高，能够形成高密度的场效应真空三极管逻辑电路。”简而言之，CMOS的最大特征就是低功耗。而今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

9、张忠谋

1931年生于浙江。27岁那年，作为麻省理工学院毕业的硕士生，他与半导体开山鼻祖、英特尔公司创办人摩尔同时踏入半导体业，与集成电路发明人杰克?基尔比同时进入美国德州仪器公司。1972年，先后就任德州仪器公司副总裁和资深副总裁，是最早进入美国大型公司最高管理层的华人。1987年，创建了全球第一家专业代工公司——台湾积体电路制造股份有限公司（简称“台积电”）。因在半导体业的突出贡献，他被美国媒体评为半导体业50年历史上最有贡献人士之一和全球最佳经理人之一。台湾人则尊他为“半导体教父”，因为是他开创了半导体专业代工的先河。

10、邓中翰

中星微集团创建人、董事长，“星光中国芯工程”总指挥。美国加州大学伯克利分校电子工程学博士、经济管理学硕士、物理学硕士。他是该校建校130年来第一位横跨理、工、商三学科的学者。1997年，邓中翰加入IBM公司，做高级研究员,负责超大规模CMOS集成电路设计研究，并申请多项发明专利，获“IBM发明创造奖”。一年后，邓中翰离开IBM回到硅谷，结合硅谷著名的风险投资基金，创建了集成电路公司PIXIM，INC.，市值很快达到了1.5亿美元。后在国家信息产业部的倡议下，邓中翰决定在国内组建中国本土的芯片设计公司。1999年10月，在中关村注册成立了“中星微电子有限公司”。 2001年3月11日，中星微“星光一号”研发成功。这是中国首枚具有自主知识产权、百万门级超大规模的数字多媒体芯片，同时结束了“中国硅谷”中关村无硅的历史。2001年5月，“星光一号”实现产业化。